· 湿法蚀化
包函偏碱性KOH，TMAH、金腐烛等腐烛和偏酸HF，BOE，HCI，HNO3，H2SO4，HAc等腐烛
· 光刻胶剥除
异丙醇，异丙醇
· ICP刻蚀（电感合体等亚铁离子刻蚀）
GaN，GaAs，InP
· 深硅刻蚀DRIE
刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1
· 深脱色硅刻蚀
石英晶体，夹丝玻璃，硅，刻蚀形貌：90°±1°
· IBE刻蚀（铁离子束刻蚀）
用做较难刻蚀的塑料或某个杂质
· RIE刻蚀（化学反应铝离子刻蚀）
Si，SiO₂，SiNx
· Plasma（灰化）
光刻胶，PI（聚酰亚胺）
