· 湿法蚀化
包函偏碱性KOH,TMAH、金腐烛等腐烛和偏酸HF,BOE,HCI,HNO3,H2SO4,HAc等腐烛
· 光刻胶剥除
异丙醇,异丙醇
· ICP刻蚀(电感合体等亚铁离子刻蚀)
GaN,GaAs,InP
· 深硅刻蚀DRIE
刻蚀均匀性<±5%,选择比>50:1
· 深脱色硅刻蚀
石英晶体,夹丝玻璃,硅,刻蚀形貌:90°±1°
· IBE刻蚀(铁离子束刻蚀)
用做较难刻蚀的塑料或某个杂质
· RIE刻蚀(化学反应铝离子刻蚀)
Si,SiO₂,SiNx
· Plasma(灰化)
光刻胶,PI(聚酰亚胺)